Isolated DC/DC Power Converter

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隔離直流轉換拓撲結構是現代電子電路中應用最廣泛的拓撲結構之一，按照信號流向，其基本電路結構一般為：IN(AC) → 整流濾波 → Isolated DC/DC → OUT(DC)的能量轉換過程；按照轉換效率和頻率特性，又可劃分為全橋隔離轉換器，半橋隔離轉換器，鉗位正激轉換器三種拓撲結構。三種拓撲結構如下圖所示：

Isolated DC/DC Power Converter Topology隔離直流轉換拓撲結構按照隔離變壓器劃分為主邊和副邊。主邊結構是保障輸入信號的頻率特性，副邊是保持輸出的能量密度。主邊和副邊具有不同的工作特性。其中主邊場效應管是工作在開關狀態，副邊場效應管則工作則工作在導通狀態。經過對隔離變壓器主副邊的工作特性研究，總結出了場效應管的工作特點及選型時注意參數。

一、隔離變壓器主邊MOSFET工作在開關狀態,持續漏極電流小，管子為了達到輸入的高頻率特性，保持高頻率開關，此時能量損耗將以開關損耗為主導。所以在選配MOSFET時，在滿足VDS漏源電壓裕量和ID持續漏電流情況下，MOSFET自身的開關特性及影響參數很重要，而RDS(ON)并不需要特別考慮，可以放寬應用條件；

二、隔離變壓器副邊MOSFET工作在導通狀態，此時需要承載部分甚至全部負載電流，漏源電流很大，能量損耗以導通損耗為主導，而工作狀態時電流的熱效應引起器件發熱不可忽視。所以在選配MOSFET時，在滿足VDS漏源電壓裕量和ID持續漏電流情況下，導通內阻RDS(ON)是引起能耗的關鍵性因素，考慮到副邊存在感應電動勢引起的VDS高尖峰，所以還應考慮Trr,Qrr這些影響寄生體二極管反向恢復特性的參數。

CMD8N50是廣東場效應半導體有限公司通過調研市場使用環境，有針對性的專門開發的一款高壓小電流型應用半導體器件。

封裝形式

CMD8N50 MOSFET提供TO-252和TO-251兩種封裝形式，具體內部拓撲結構如下圖所示。

電性參數

CMD8N50是一款持續漏極電流（ID）為8A，擊穿電壓(BVDSS)達到500V高壓場效應半導體器件，V、A參數決定了其無法承受大電流的導通工作狀態，理論和經驗認為這顆料用在MOSFET開關狀態，表現出了極強的穩定性。

優秀的開關速度

MOSFET作為開關管應用表現出很好的穩定性，尤其在對MOSFET的開啟和關閉速度具有非常高的要求的高頻率電路中。從具體的物料規格書中能夠影響開關頻率的參數有Qg、Cgd、Ciss。一般認為，這些參數對實際電路的影響可以總結如下：柵極電荷Qg和輸入電容Ciss影響場效應管的開啟時間；Cgd=Crss為米勒電容，其影響場效應管的關閉時間。工作在開關中狀態的場效應管正是需要較快的開關速度以提高響應速度，同時減少開啟和關閉過程的能量損耗。CMD8N50 MOSFET在開發過程中，這三項參數都被嚴格優化，標稱值很低。應用在以上隔離電路主邊將會表現出較高的兼容性和良好的穩定性。

本文是結合理論和經驗對CMD8N50場效應管的參數和應用做一解讀和分析，以上經驗希望對從事半導體行業工程師，技術人員以及業務人員在選配型號過程中起到積極的參考意義。當然受限于作者的工程經驗和技術水平，CMD8N50相信應該還有更廣闊的應用環境，等待大家開發。

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